La tecnologia de gravat en sec és un dels processos clau. El gas de gravat sec és un material clau en la fabricació de semiconductors i una important font de gas per a gravat plasmàtic. El seu rendiment afecta directament la qualitat i el rendiment del producte final. Aquest article comparteix principalment quins són els gasos de gravat habitualment utilitzats en el procés de gravat sec.
Gasos basats en fluor: com araTetrafluorur de carboni (CF4), hexafluoroetà (C2F6), trifluorometà (CHF3) i perfluoropropà (C3F8). Aquests gasos poden generar eficaçment fluorurs volàtils quan graven compostos de silici i silici, aconseguint així l’eliminació de materials.
Gasos basats en clor: com el clor (CL2),Triclorur de Bor (BCL3)i tetraclorur de silici (SICL4). Els gasos basats en clor poden proporcionar ions de clorur durant el procés de gravat, cosa que ajuda a millorar la taxa de gravat i la selectivitat.
Gasos basats en brom: com el brom (BR2) i el iodur de brom (IBR). Els gasos a base de brom poden proporcionar un millor rendiment de gravat en determinats processos de gravat, sobretot quan graven materials durs com el carbur de silici.
Gasos basats en nitrogen i basats en oxigen: com el trifluorur de nitrogen (NF3) i l’oxigen (O2). Aquests gasos s’utilitzen generalment per ajustar les condicions de reacció en el procés de gravat per millorar la selectivitat i la direccionalitat del gravat.
Aquests gasos aconsegueixen un gravat precís de la superfície del material mitjançant una combinació de pultisme físic i reaccions químiques durant el gravat plasmàtic. L’elecció del gravat gas depèn del tipus de material a gravar, dels requisits de selectivitat del gravat i de la taxa de gravat desitjada.
Posada Posada: 08 de febrer de 2015
