La tecnologia de gravat en sec és un dels processos clau. El gas de gravat en sec és un material clau en la fabricació de semiconductors i una font de gas important per al gravat per plasma. El seu rendiment afecta directament la qualitat i el rendiment del producte final. Aquest article comparteix principalment quins són els gasos de gravat més utilitzats en el procés de gravat en sec.
Gasos amb fluor: com aratetrafluorur de carboni (CF4), hexafluoroetà (C2F6), trifluorometà (CHF3) i perfluoropropà (C3F8). Aquests gasos poden generar fluorurs volàtils de manera efectiva en el gravat de silici i compostos de silici, aconseguint així l'eliminació de material.
Gasos a base de clor: com ara el clor (Cl2),triclorur de bor (BCl3)i tetraclorur de silici (SiCl4). Els gasos a base de clor poden proporcionar ions de clorur durant el procés de gravat, cosa que ajuda a millorar la velocitat de gravat i la selectivitat.
Gasos a base de brom: com el brom (Br2) i el iodur de brom (IBr). Els gasos a base de brom poden proporcionar un millor rendiment de gravat en certs processos de gravat, especialment quan es graven materials durs com el carbur de silici.
Gasos basats en nitrogen i oxigen: com ara el trifluorur de nitrogen (NF3) i l'oxigen (O2). Aquests gasos s'utilitzen normalment per ajustar les condicions de reacció en el procés de gravat per millorar la selectivitat i la direccionalitat del gravat.
Aquests gasos aconsegueixen un gravat precís de la superfície del material mitjançant una combinació de pulverització física i reaccions químiques durant el gravat per plasma. L'elecció del gas de gravat depèn del tipus de material a gravar, els requisits de selectivitat del gravat i la velocitat de gravat desitjada.
Data de publicació: 08 de febrer de 2025
